IGBT驱动电源

半导体驱动电源系列（IGBT/SiC/GaN），该系列具备超小隔离电容，响应速度块，内部采用了非对称式电压输出方式，能够有效减小半导体器件的驱动损耗。具备高效率、输入电压宽范围、输出正负双向电压、集成短路保护等多种保护的特点。
产品特点：
1、隔离电压：5000VAC（加强绝缘）
2、工作温度范围: -40℃ to +105℃
3、低漏电流